年花两万亿买晶片 华自主研发困难重重
发布 : 2020-10-26 来源 : 明报新闻网 用微信扫描二维码，分享至好友和朋友圈 | 加关注  明声网温哥华 微信公众号 |
【明报专讯】晶片产业长期由欧美日韩控制，中国内地每年单是进口晶片就消耗超过3000亿美元（约2.34万亿港元）外汇，超越中国内地每年进口石油的开支。去年中国所需的半导体产品，仅16%由本土生产。不过，相关产业的研发难以一蹴而就。半导体制造是资本密集型产业，研发周期长、资金投入极大，业界每年投入超过15%的年度收入作研发。每一代最先进的制造技术寿命只有2至4年，然后又被更先进的技术取代。半导体制造设备供应商需与晶片代工商、晶片设计师紧密合作，以保持制造技术不断发展的步伐。
光刻机装传感器 一拆ASML便知
制造晶片主要依赖光刻机。市场主流的光刻机供应商由荷兰ASML、日本Nikon和Canon三分天下，但最先进的极紫外光源（EUV）光刻机技术由ASML垄断。目前中国内地规模最大的晶片代工商中芯国际（0981）采用的深紫外光源（DUV）光刻机已相对落后，向ASML购买最先进的EUV光刻机却受美国所限。
业界人士能否尝试拆解ASML的技术？据称，光刻机有超过10万个组件，且安装了大量传感器，只要尝试拆解它，就会触动传感器向ASML发出警报。
中芯国际目前以14nm制程工艺生产晶片，较台积电、三星和英特尔落后至少两代。制程数字愈细，所需的技术水平愈高，晶片效能愈强，且耗能愈少。早前内地一站式IP和定制晶片企业芯动科技称，全球首个基于中芯FinFET「 N+1工艺」的晶片流片和测试，所有IP（半导体矽智财）全自主国产，功能一次测试通过。
所谓N＋1工艺，是指中芯在第一代14nm量产后的第二代先进工艺的代号。根据中芯国际提供的信息显示，N＋1工艺和14nm工艺相比，性能提升20%，功耗降低57%，逻辑面积小63%，SoC面积减少55%。从逻辑面积缩小的数据来看，与7nm工艺相近，并争取本年底小批量试产。
光刻机装传感器 一拆ASML便知
制造晶片主要依赖光刻机。市场主流的光刻机供应商由荷兰ASML、日本Nikon和Canon三分天下，但最先进的极紫外光源（EUV）光刻机技术由ASML垄断。目前中国内地规模最大的晶片代工商中芯国际（0981）采用的深紫外光源（DUV）光刻机已相对落后，向ASML购买最先进的EUV光刻机却受美国所限。
业界人士能否尝试拆解ASML的技术？据称，光刻机有超过10万个组件，且安装了大量传感器，只要尝试拆解它，就会触动传感器向ASML发出警报。
中芯国际目前以14nm制程工艺生产晶片，较台积电、三星和英特尔落后至少两代。制程数字愈细，所需的技术水平愈高，晶片效能愈强，且耗能愈少。早前内地一站式IP和定制晶片企业芯动科技称，全球首个基于中芯FinFET「 N+1工艺」的晶片流片和测试，所有IP（半导体矽智财）全自主国产，功能一次测试通过。
所谓N＋1工艺，是指中芯在第一代14nm量产后的第二代先进工艺的代号。根据中芯国际提供的信息显示，N＋1工艺和14nm工艺相比，性能提升20%，功耗降低57%，逻辑面积小63%，SoC面积减少55%。从逻辑面积缩小的数据来看，与7nm工艺相近，并争取本年底小批量试产。